英飞凌与松下联手开发GaN功率器件

2020-05-22 08:14:16 来源: 宜昌信息港

德国英飞凌科技公司(Infineon Technologies)与松下就共同开发GaN功率元件达成协议。将在英飞凌的表面封装(SMD:Surface-Mounted Device)中,嵌入以松下“常闭”(Normally Off)型GaN功率晶体管构造为基础的器件。这是自富士通半导体和美国Transphorm之后,再次有海外企业和日本企业联手开发GaN功率器件。

根据此次达成的协议,松下将向英飞凌提供常闭型GaN功率晶体管构造的授权。据介绍,今后两家公司可以各自单独制造GaN器件。双方计划在2015年 月15~19日举行的功率电子相关会议“Applied Power Electronics Conference and Exposition(APEC)”上,展出采用DSO(Dual Small Outline)封装、耐压为600V、导通电阻为70mΩ的GaN功率器件样品。(记者:根津 祯)马鞍山白癜风医院哪家好
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